ICS71.040.40 G 04 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T32495—2016/ISO12406:2010 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度部析方法 Surface chemical analysis-Secondary-ion mass spectrometry- Method for depth profiling of arsenic in silicon (ISO12406:2010,IDT) 2016-02-24发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T32495—2016/ISO12406:2010 目 次 前言 引言 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 符号和缩略语 原理 6 参考物质 6.1 用于校准相对灵敏度因子的参考物质 6.2 用于校准深度的参考物质 7 仪器 7.1 二次离子质谱仪 7.2 触针式轮廓仪 7.3 光学干涉仪 8 样品 9 步骤 9.1 二次离子质谱仪的调整 9.2 优化二次离子质谱仪的设定 9.3 进样 9.4 被测离子 9.5 样品检测 9.6 校准 10 结果表述· 11 测试报告. 附录A（资料性附录）硅中砷深度剖析巡回测试报告 附录B（资料性附录） NISTSRM2134深度剖析步骤 参考文献
GB-T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
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